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名师简介
栾苏珍 副教授
2020-03-27 17:20  

 

栾苏珍:女,西安科技大学高层次引进人才,西安电子科技大学电子科学与技术工学博士,西安电子科技大学雷达信号处理国家重点实验室博士后,bat365在线平台副教授,硕士生导师,从事电子技术与采矿安全的交叉学科。主要研究方向为半导体新型材料和器件光电特性、功率MOSFET结构模型和特性研究。在“ACS applied materials & interfaces”、 “Physical chemistry chemical physics”、“RSC advances” 、“Materials Letters”等国际期刊发表SCI论文三十余篇,其中以第一作者在国内外期刊上发表SCI学术论文十几。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目,省级自然科学基金面上项目,中国博士后基金面上项目,校级科研项目近十项,参与国家自然科学基金重点项目等。

第一作者或通讯作者发表SCI论文10项

1. Suzhen Luan, Linpeng Dong, Xiaofan Ma, and Renxu JiaThe further investigation of N-doped beta-Ga2O3 thin films with native defects for Schottky-barrier diode, Alloys and Compounds, 2020, 812(1):152026. (SCI:000490423000070, SCI 1区)

2. Luan, S Z, Dong, L P, Jia, R X. Analysis of the structural, anisotropic elastic and electronic properties of β-Ga2O3 with various pressures. Journal of crystal growth, 2019505, 74-81SCI:000448412900014

3. Luan Suzhen, Liu Yintao, Jia Renxu, et.al. Influence of [6,6]-Phenyl-C61-butyric Acid Methyl Ester doping on Au/CH3NH3PbI3/Au metal-semiconductor-metal (MSM) photoelectric detectors. Materials Letters,2018,139-142 (SCI: 000425368200035)

4. Suzhen Luan, Yucheng Wang, Yintao LiuRenxu Jia. Effect of depositing PCBM on perovskite base Metal-Oxide-Semiconductor transistors.Chinese Physics B, 2018, 27 (4): 047208 SCI:000430619900008

5. Jichao Hu, Suzhen Luan*, Renxu Jia, et.al, Effects of growth pressure on point defects in unintentionally doped 4H-SiC epitaxial layers. Optoelectronics and advanced materials-rapid communications2018,12,86-89SCI:000432931800016

6. Suzhen Luan, Tiqiang Pang, Yuchang Wang, Renxu Jia. Effect of annealing temperature on the characteristics of Pt/CH3NH3PbI3 contact. Journal of crystal growth, 2019, 505, 74-81SCI000448412900003

7. X.He, S.Z. Luan, L. Wang, R.Y.Wang, P. Du and M.Lei, Facile loading mesoporous Co3O4 on nitrogen doped carbon matrix as an enhanced oxygen electrode catalyst, [J].Materials Letters,2019,244,78-82. (SCI, ESI高被引热点论文)

8. Luan Suzhen, Liu Hongxia. Quantum Compact Model of Drain Current for Thin-Body Double-Gate Schottky Barrier MOSFETs. Chinese Physics B, 2008, 17(8):3077-3082 (SCI: 000258480200051)

9. Luan Suzhen, Liu Hongxia, Jia RenXu. Performance investigations of novel dual-material gate (DMG) MOSFET with dielectric pockets (DP). Science in China: Series E, 2009, 52(2):1-6 (SCI:000267593200040)

10. Suzhen Luan, Hongxia LiuRenxu Jia.The dynamic reliability of ultra-thin gate oxide and its breakdown characteristics.ACTA PHYSICA SINICA2008, 57(4): 2524-2528 (SCI: 000255087200087

近两年授权的专利:

1. 贾仁需,庞体强,栾苏珍,张玉明,汪钰成,刘银涛,垂直型光电探测器及其制备方法发明专利,授权时间2019,08

2. 贾仁需,庞体强,栾苏珍,张玉明,汪钰成,刘银涛,双异质结光探测器及其制备方法发明专利,授权时间2019,09

3. 贾仁需,庞体强,栾苏珍,张玉明,汪钰成,刘银涛,宽谱响应光电探测器及其制备方法发明专利,授权时间2019,09

承担的科研项目:

1. 国家自然科学基金面上项目新型NiO/Ga2O3异质结功率MOSFET器件模型和特性研究2020.01~2023.1263W,主持。

2. 国家自然科学基金青年项目基于钙钛矿太阳能电池的MOS结构制备及特性研究,2017.01~2019.1220W,主持。

3. 陕西省自然科学基金面上项目,NiO/Ga2O3异质结MOS电容模型和电学特性研究,2020.01~2021.123W,主持。

4. 中国博士后面上基金,太阳能电池中金属/氧化物/PVK材料MOS结构特性研究2016.05~2018.065W,主持。

5. 西安科技大学优秀青年基金项目,NiO/Ga2O3异质结MOS器件界面和电学特性研究,2020.01~2022.12,10W,主持。

6. 国家自然科学基金重点项目,编程动态自重构三维阵列芯片体系结构关键技术,2019.01~2023.12290W,主要参与人。

联系方式

邮箱:szluan@xust.edu.cn

招生要求:

保送或报考 硕士研究生,提供如下材料:

1)个人简介;

2) 本科课程成绩单;

3) 竞赛获奖,叙述个人主要贡献;

4) 发表论文的全文;

5) 其他能证明个人能力的材料;

课题组提供出国交流和交换机会,研究方向可偏重理论或工程均可,欢迎加入我们课题组!

 

 

 

 

 

 

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